Sprostowanie do rozporządzenia delegowanego Komisji (UE) 2018/1922 z dnia 10 października 2018 r. zmieniającego rozporządzenie Rady (WE) nr 428/2009 ustanawiające wspólnotowy system kontroli wywozu, transferu, pośrednictwa i tranzytu w odniesieniu do produktów podwójnego zastosowania

Dzienniki UE

Dz.U.UE.L.2019.103.60

Akt jednorazowy

Wersja od: 15 grudnia 2018 r.

Sprostowanie do rozporządzenia delegowanego Komisji (UE) 2018/1922 z dnia 10 października 2018 r. zmieniającego rozporządzenie Rady (WE) nr 428/2009 ustanawiające wspólnotowy system kontroli wywozu, transferu, pośrednictwa i tranzytu w odniesieniu do produktów podwójnego zastosowania

(Dziennik Urzędowy Unii Europejskiej L 319 z dnia 14 grudnia 2018 r.)

(Dz.U.UE L z dnia 12 kwietnia 2019 r.)

Strona 129, pozycja 3B001.f., w pkt 3 i 4 zmienia się wyrównanie tekstu:

zamiast: "3. sprzęt specjalnie zaprojektowany do wytwarzania masek, spełniający wszystkie poniższe kryteria:

a. posiadający odchylaną, zogniskowaną wiązkę elektronów, jonów lub wiązkę "laserową"; oraz

b. spełniający którekolwiek z poniższych kryteriów:

1. apertura plamki dla szerokości piku w połowie jego wysokości poniżej 65 nm i umiejscowienie obrazu poniżej 17 nm (średnia + 3 sigma); lub

2. nieużywane;

3. błąd nakładania drugiej warstwy mniejszy niż 23 nm (średnia + 3 sigma) na maskę;

4. Sprzęt zaprojektowany do wytwarzania przyrządów wykorzystujący metody bezpośredniego nadruku i spełniający wszystkie poniższe kryteria:

a. wykorzystujący odchylaną, zogniskowaną wiązkę elektronów; oraz

b. spełniający którekolwiek z poniższych kryteriów:

1. minimalny rozmiar wiązki równy lub mniejszy niż 15 nm; lub

2. błąd nakładania warstwy mniejszy niż 27 nm (średnia + 3 sigma);",

powinno być: "3. sprzęt specjalnie zaprojektowany do wytwarzania masek, spełniający wszystkie poniższe kryteria:

a. posiadający odchylaną, zogniskowaną wiązkę elektronów, jonów lub wiązkę "laserową"; oraz

b. spełniający którekolwiek z poniższych kryteriów:

1. apertura plamki dla szerokości piku w połowie jego wysokości poniżej 65 nm i umiejscowienie obrazu poniżej 17 nm (średnia + 3 sigma); lub

2. nieużywane;

3. błąd nakładania drugiej warstwy mniejszy niż 23 nm (średnia + 3 sigma) na maskę;

4. Sprzęt zaprojektowany do wytwarzania przyrządów wykorzystujący metody bezpośredniego nadruku i spełniający wszystkie poniższe kryteria:

a. wykorzystujący odchylaną, zogniskowaną wiązkę elektronów; oraz

b. spełniający którekolwiek z poniższych kryteriów:

1. minimalny rozmiar wiązki równy lub mniejszy niż 15 nm; lub

2. błąd nakładania warstwy mniejszy niż 27 nm (średnia + 3 sigma);".